E-Oシステム
最高レベルの効率を誇るレーザービーム変調用のEO変調システムを設計・製造しています。これらのシステムは、何らエレクトロニクスを追加することなく、既存のレーザーシステムとのインタフェースにより、ターンキー・アプリケーションに対応する付属品を豊富に用意しています。市販品中、最も高い帯域幅、紫外（UV）から中赤外（MIR）までの広い光学波長域、高速の立ち上がりおよび立ち下がり時間、連続的に調整可能なゲイン、高出力パワー処理能力、および完全自動操作等の特徴を有しています。4つの標準EO変調器システムが提供されています。
1) Model HVA-100K (DC〜250 KHz)
2) Model 3030C (DC〜10MHz)
3) Model 3030 (DC〜30 MHz)
4) Model 3100 (DC〜100 MHz)
5) Model 3101 (1 MHz〜1000 MHz)
これらのドライバーは、アプリケーションの広い範囲に及ぶカンタム テクノロジー(Quantum Technology)（QTI）の多種多様なEO変調器に適合し、一緒に使うことができます。
これらのシステムには、最先端のRF MOS FET回路技術が採用されています。多くのユニークな設計がなされています。例えば、交換可能なプラグイン・カードは、フィールドで簡単かつ迅速なアップグレードができ、パルスピッカーのタイミング、キャビティダンピングおよびリジェネレーティブ・シーディング、高電圧高速スイッチングおよびレーザーノイズ圧縮などに使われます。システム統合は、共通のバックプレーンを介して行われます。自動バイアス制御、サンプリング、連続またはDRAWのいずれかなどの多くのオプションがあります。また、様々な光学アクセサリーもご用意しています。ずば抜けた利点は、QTI社にはADP結晶成長のユニークな熟練技術があり、KD* P結晶は、QTI社の実験室で変調器設計の厳密な仕様に合わせて成長させ加工することができることです。QTI社は、結晶成長からエンジニアリング設計やシステム製造までの総合機能を持つ唯一の企業です。
モデル307ノイズイーターシステムは、可視レーザーの振幅安定性を改善するように設計された広帯域EOフィードバックループです。
モデル40および41は、HVA-100Kドライバーと一緒に使うことができるEOビーム偏向器です。主なアプリケーションは、多角形スピナーのファセット対ファセット補正、ビデオディスクマスタリング、高速ストリーク記録です。
次の表の変調器は50オームまたは100オームのインピーダンスで使用できます。例えば、12-50は50オームの装置であり、12-100は100オームの装置です。
EO変調器装置 仕様
| Modulator/Driver | 12 | 13 | 14 | 15 | 20 | 22 | 22S | 28 | 327 | 332 | 334 |
| Crystal Material | LTA | LTA | LTA | LTA | ADP | ADP | ADP | ADP | KD*P | KD*P | KD*P |
| Min Lambda nm | 800 | 800 | 800 | 800 | 300 | 300 | 300 | 300 | 800 | 800 | 800 |
| Max Lambda um | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 1.1 | 1.1 | 1.1 |
| Aperture mm | 2.5 | 4 | 2.5 | 4 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| Contrast @ 633 nm | 100 | 100 | 50 | 100 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 | 500 |
| typ V1/2 @ 633 nm | 47 | 94 | 94 | 188 | 115 | 115 | 115 | 220 | 120 | 750 | 225 |
| MAX LAMBDA um(Vpp) | |||||||||||
| HVA-100K (800V) | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 2.69 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 1.1 | 0.69 | 1.1 |
| HVA-100K-2 (1600V) | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 1.1 | 1.1 | 1.1 | 1.1 |
| 3030 (118V) | 1.48 | 0.74 | 0.74 | na | 0.65 | 0.65 | 0.65 | 0.34 | 0.62 | na | 0.33 |
| 3100 (95V) | 1.28 | 0.64 | 0.64 | na | 0.52 | 0.52 | 0.52 | 0.27 | 0.5 | na | 0.27 |
| MAX FREQUENCY | |||||||||||
| HVA-100K (KHz) | 250 | 250 | 250 | 100 | 250 | – | – | 250 | 250 | 60 | 200 |
| HVA-100K-2 (KHz) | 250 | 250 | 250 | 100 | 250 | – | – | 250 | 250 | 120 | 250 |
| 3030C (MHz) | 28 | 30 | 30 | 16 | 10 | – | – | 20 | 20 | – | 9 |
| 3030 (MHz) | 30 MHz with 100 ohm impedance matched device | ||||||||||
| 3050 (MHz) | 50 MHz with 50 ohm impedance matched device | ||||||||||
| 3500 (MHz) | 1-525 MHz @ 633nm 60% mod depth with Model 10 TWAM | ||||||||||
| 3101 (MHz) | 1-1000 MHz @ 633nm 30% mod depth with Model 11 TWAM | ||||||||||
| MODEL | CRYSTAL | SPECTRAL RANGE nm | APER mm | CONTRAST @ 633 nm-typ | V1/2 VOLTS @ 633 nm-typ | FREQUENCY RESPONSE |
| 10 | LTA | 800-2500 | 1 | 100:1 | 70 | DC-550 MHz |
| 11 | LTA | 800-2500 | 1 | 100:1 | 107 | DC-1 GHz |
| 22LA | ADP | 300-800 | 3.5 | 500:1 | 115 | DC-10 MHz |
| 332 | D-KDP | 800-1100 | 2.5 | 500:1 | 570 | DC-10 MHz |
| REM101 | LTA | 800-2500 | 2 | 100:1 | 2 Watts RF Max | 1-2% of Fc |
